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问题:透明导电粉体,透明防电磁辐射薄膜,节能能透明防电磁辐射涂层,透明导电薄膜,透明电热膜
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张建荣 博士 多年来一直从事纳米氧化锡,ATO,ITO导电粉体,浆料以及溶胶的研究和开发,已发表20篇相关文章,其中SCI收录17篇,申请中国专利10项。我们可以大量提供纳米氧化锡,ATO,ITO纳米导电粉体,浆料和溶胶,并可以根据要求进行特殊处理,我们的纳米氧化锡的纯度大于99.99%,(国内其他公司还无法提供纯度在99.9%以上的)比表面积大于40,价格远低于国外同类产品。我们的ATO导电粉体的价格低于200元/公斤,而国内同类产品(导电能力低于我们的产品)的价格在360元/公斤以上,量大优惠!我们还可以提供ATO导电浆料,产品非常稳定,并且pH值在3—12之间可以任意调整。
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国内透明导电氧化物第一人!已发表论文26篇,其中SCI收录第一作者18篇。作为实际完成人申请中国发明专利15项,已授权10项。
我们致力于纳米粉体的研究与开发
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我们致力于纳米透明导电材料的研究与开发
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(1) Jianrong Zhang, and Lian Gao. Synthesis of SnO2 nanoparticles by the sol-gel method from granulated tin, Chem. Lett., 2003, 32(5), 458-459.
(2) Jianrong Zhang, and Lian Gao. Synthesis and characterization of antimony-doped tin oxide (ATO) nanoparticles, Inorg. Chem. Comm., 2004, 7, 91-93
(3) Jianrong Zhang, and Lian Gao. Synthesis and characterization on nanocrystalline tin oxide by a sol-gel method, J. Solid State Chem., 2004, 177, 1425-1430
(4) Jianrong Zhang, and Lian Gao. Antimony-Doped Tin Oxide (ATO) Nanocrystallites Prepared by a Combustion Process, Mater. Lett.,2004, 58(22-23),2730-2734
(5) Jianrong Zhang, and Lian Gao. Synthesis and Characterization of Antimony-Doped Tin Oxide (ATO) Nanoparticles by a New Hydrothermal Method. Mater. Chem. Phys., 2004,87(1),10-13
(6) Jianrong Zhang, and Lian Gao. Synthesis of Antimony-doped tin oxide (ATO) particles by the nitrate-citrate combustion method. Mater. Res. Bull., 2004, 39,2249-2255
(7) G. Q. Zhong, H. L. Zhou, J. R. Zhang, et al. A Simple Method for Preparation of Bi and Sb Metal Nanocrystalline Particles, Mater. Lett., 2005, 59, 2252-2256
(8) R. R. Jia, C. P. Wu, Y. X. Yang, Y. R. Chen, J. R. Zhang, et al. Preparation of New Amino Acid Complex Nanoparticles of Bismuch and Leuctine, Amino Acid, 2005, 28, 409-412
(9) Jianrong Zhang, Lian Gao and Minghai Chen, SPS Sintering of High Density of Antimony-doped Tin Oxide Ceramics from Nanoparticles J. Am. Ceram. Soc. 2006, 89, 3874-3876
(10) Jianrong Zhang, Lian Gao and Minghai Chen, A Novel Solvothermal to Synthesize one-dimensional Chains of Indium tin oxide Nanoparticles Mater. Lett. 2007,61,2671-2674
(11) 张建荣,高濂,纳米晶Sb掺杂SnO2(ATO)粉体的合成与表征,高等学校化学学报,2003,24(9),1544-1547
(12) 张建荣,高濂,Sb掺杂SnO2(ATO)纳米晶的水热合成和导电性能,化学学报,2003,61(10),1679-1681
(13) 张建荣,高濂,纳米晶氧化锡的水热合成与表征,化学学报,2003,61(12),1965-1968
(14)张建荣,高濂,纳米晶SnO2粉体的合成,无机化学学报,2003,19(6),641-644
(15)张建荣,高濂,ATO纳米粉体的燃烧合成研究,无机化学学报,2004,20(7),801-804
(16)张建荣,高濂, 顾达,络合法合成Sb掺杂SnO2(ATO)纳米粉体,无机材料学报,2003,18(4),923-928
(17)张建荣,高濂, 水热法合成纳米SnO2粉体,无机材料学报,2004,19(5),1177-1180
(18)张建荣,高濂, SnO2纳米晶的合成表征与气敏性能研究,无机材料学报,2005,20(2)445-449
(19)张建荣, 顾达,高濂,杨云霞,纳米ATO粉体的制备及性能研究,硅酸盐通报,2003,(4),3-6
(20)张建荣,高濂 纳米Sb掺杂SnO2(ATO)导电粉体合成与应用研究,2003年中国纳微粉体制备与技术应用研讨会论文集,中国北京,2003
(21)张建荣,顾达,杨云霞,Sb掺杂SnO2纳米粉体的结晶行为和电学性能,应用化学,2002,19(6),552-555
(22)张建荣,顾达,杨云霞,湿化学法制备纳米ATO导电粉,功能材料,2002,33(3),300-302
(23)张建荣,曹洋,Yulsang You,高濂,铟锡氧化物ITO纳米粉体的共沉淀法合成,无机化学学报,2005,21(12),1887-1890
(24)张建荣,顾立新,高濂,水热法合成单分散性锑掺杂氧化锡纳米导电粉体,硅酸盐学报,2006,34(4),417-421
(25) 张建荣, 透明导电氧化物材料的研究与开发,新材料产业,2006 (8),53-56
(26)张建荣,高濂,顾立新,水热合成纳米氧化锡粉体的烧结性能,无机化学学报,2006,22(11),80-83


申请中国发明专利10项:
(1) 顾达,曹富基,张建荣,一种掺锑二氧化锡导电粉体的制备方法,中国专利申请号:01113010.5 (已授权)
(2) 高濂,张建荣,纳米氧化锡粉体的制备方法,中国专利申请号:03115829.3(已授权)
(3) 高濂,张建荣,浅色锑掺杂纳米氧化锡粉体的制备方法,中国专利申请号:03115830.7(已授权)
(4) 高濂,张建荣,一种掺锑的氧化锡无机纳米导电粉体的制备方法,中国专利申请号:200310108073.4(已授权)
(5) 高濂,张建荣,一种氧化锡粉体的制备方法,中国专利申请号:200310108633.6(已授权)
(6) (6)高濂,张建荣,氧化锡纳米粉体的制备方法,中国专利申请号:200310107905.0(已授权)
(7)高濂,张建荣,锑掺杂氧化锡导电粉体的水热合成方法,中国专利申请号:200410016326.x
(8)张建荣, 等,一种锡掺杂氧化铟纳米粉体的制备方法,中国专利申请号:200510110585.3
(9)张建荣, 等,一种高烧结活性ITO粉体的制备方法,中国专利申请号:200510111243.3
(10)张建荣, 等,一种纳米氧化锡的制备方法,中国专利申请号:200510111244.8


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